maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR

| Référence fabricant | MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de mémoire | DRAM |
| La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
| Fréquence d'horloge | 1600MHz |
| Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface mémoire | - |
| Tension - Alimentation | 1.1V |
| Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Type de montage | - |
| Paquet / caisse | - |
| Package d'appareils du fournisseur | - |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR-FT |

MT53D4DAHR-DC
Micron Technology Inc.

MT53D4DAKA-DC
Micron Technology Inc.

MT53D4DAKA-DC TR
Micron Technology Inc.

MT53D4DANW-DC
Micron Technology Inc.

MT53D4DANW-DC TR
Micron Technology Inc.

MT53D4DANY-DC
Micron Technology Inc.

MT53D4DANY-DC TR
Micron Technology Inc.

MT53D4DARN-DC
Micron Technology Inc.

MT53D4DARN-DC TR
Micron Technology Inc.

MT53D4DASB-DC
Micron Technology Inc.

LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation

EP3SE50F484C2
Intel

EP4CE115F23I8L
Intel

XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.

LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation

EP3SE110F780C2N
Intel

EP20K100BC356-2N
Intel

EP4SGX360FF35C4
Intel