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Référence fabricant | MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (512M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1866MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D-FT |
MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4FL-046 XT:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4FL-046 XT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel