maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53D384M32D2DS-053 XT:C
Référence fabricant | MT53D384M32D2DS-053 XT:C |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT53D384M32D2DS-053 XT:C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D384M32D2DS-053 XT:C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 12Gb (384M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1866MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D384M32D2DS-053 XT:C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D384M32D2DS-053 XT:C-FT |
MT53D1024M32D4NQ-046 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4NQ-046 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4NQ-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4NQ-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel