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Référence fabricant | MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (512M x 32) |
Fréquence d'horloge | 2133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR-FT |
MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M16D1NY-046 XT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D384M16D1Z1AMWC1
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel