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Référence fabricant | MT53D512M32D2DS-046 AIT:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D512M32D2DS-046 AIT:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (512M x 32) |
Fréquence d'horloge | 2133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D512M32D2DS-046 AIT:D-FT |
MT53D2G32D8QD-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D2G32D8QD-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M16D1NY-046 XT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D384M16D1Z1AMWC1
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel