maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53D384M64D4KA-046 XT:E
Référence fabricant | MT53D384M64D4KA-046 XT:E |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D384M64D4KA-046 XT:E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D384M64D4KA-046 XT:E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 24Gb (384M x 64) |
Fréquence d'horloge | 2133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D384M64D4KA-046 XT:E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D384M64D4KA-046 XT:E-FT |
GD25LQ128DVIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16C8IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16LIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CUIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CVIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4RF9IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4RF9IGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4RF9IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
IS43DR16128C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320E-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
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Intel