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Référence fabricant | MT53D384M64D4KA-046 XT:E |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D384M64D4KA-046 XT:E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D384M64D4KA-046 XT:E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 24Gb (384M x 64) |
Fréquence d'horloge | 2133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D384M64D4KA-046 XT:E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D384M64D4KA-046 XT:E-FT |
GD25LQ128DVIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16C8IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16LIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CUIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CVIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4RF9IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4RF9IGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4RF9IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
IS43DR16128C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320E-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel