maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / GD25LQ64CVIGR
Référence fabricant | GD25LQ64CVIGR |
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Numéro de pièce future | FT-GD25LQ64CVIGR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GD25LQ64CVIGR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8) |
Fréquence d'horloge | 120MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 2.4ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 2V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-VSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25LQ64CVIGR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GD25LQ64CVIGR-FT |
GD25S512MDBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ32CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
HTEE25608
Honeywell Aerospace
HTEE25608D
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IS61WV102416DBLL-10BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV102416FBLL-10T2LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV102416FBLL-10T2LI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV102416FBLL-8TLI
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IS61WV12824-8BL
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