maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53D384M64D4KA-046 XT:E TR
Référence fabricant | MT53D384M64D4KA-046 XT:E TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D384M64D4KA-046 XT:E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D384M64D4KA-046 XT:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 24Gb (384M x 64) |
Fréquence d'horloge | 2133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D384M64D4KA-046 XT:E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D384M64D4KA-046 XT:E TR-FT |
GD25LQ16C8IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16LIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CUIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CVIGR
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GD5F1GQ4RF9IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4RF9IGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4RF9IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
IS43DR16128C-25DBLI-TR
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IS43DR16320E-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320E-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
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M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
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LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
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