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Référence fabricant | MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (256M x 64) |
Fréquence d'horloge | 2133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR-FT |
GD25LE64CLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DVIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16C8IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16LIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CUIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CVIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4RF9IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4RF9IGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4RF9IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
IS43DR16128C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel