maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D

| Référence fabricant | MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de mémoire | DRAM |
| La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Taille mémoire | 32Gb (1G x 32) |
| Fréquence d'horloge | 2133MHz |
| Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface mémoire | - |
| Tension - Alimentation | 1.1V |
| Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Type de montage | - |
| Paquet / caisse | - |
| Package d'appareils du fournisseur | - |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D-FT |

MT53B4DCNQ-DC
Micron Technology Inc.

MT53B4DCNQ-DC TR
Micron Technology Inc.

MT53B4DCNY-DC
Micron Technology Inc.

MT53B512M16D1Z11MWC1
Micron Technology Inc.

MT53B512M16D1Z11MWC2 MS
Micron Technology Inc.

MT53B512M16D1Z11NWC1
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2DS-062 XT:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B
Micron Technology Inc.

LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation

EP1SGX25DF672I6
Intel

10M25DAF484C8G
Intel

XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.

A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation

LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation

5CGXFC7D6F31I7N
Intel

EP3SL110F780I4
Intel

10AX027E1F29I1HG
Intel