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Référence fabricant | MT53B512M32D2DS-062 XT:C |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B512M32D2DS-062 XT:C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B512M32D2DS-062 XT:C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (512M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M32D2DS-062 XT:C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B512M32D2DS-062 XT:C-FT |
MT53B2DAANK-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DADS-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DADS-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DANH-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANL-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANP-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANW-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANW-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DARN-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DARN-DC TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel