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Référence fabricant | MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 32Gb (1G x 32) |
Fréquence d'horloge | 2133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR-FT |
MT53B4DCNQ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DCNY-DC
Micron Technology Inc.
MT53B512M16D1Z11MWC1
Micron Technology Inc.
MT53B512M16D1Z11MWC2 MS
Micron Technology Inc.
MT53B512M16D1Z11NWC1
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel