maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53D1024M32D4NQ-046 AIT ES:D
Référence fabricant | MT53D1024M32D4NQ-046 AIT ES:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D1024M32D4NQ-046 AIT ES:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D1024M32D4NQ-046 AIT ES:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 32Gb (1G x 32) |
Fréquence d'horloge | 2133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M32D4NQ-046 AIT ES:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D1024M32D4NQ-046 AIT ES:D-FT |
MT53B4DBNQ-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DBNQ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DCNK-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DCNK-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DCNQ-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DCNQ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DCNY-DC
Micron Technology Inc.
MT53B512M16D1Z11MWC1
Micron Technology Inc.
MT53B512M16D1Z11MWC2 MS
Micron Technology Inc.
MT53B512M16D1Z11NWC1
Micron Technology Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel