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Référence fabricant | MT53B4DBNQ-DC TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B4DBNQ-DC TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B4DBNQ-DC TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | - |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B4DBNQ-DC TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B4DBNQ-DC TR-FT |
MT53B256M64D2NV MS TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NW-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TG-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TP-062 L XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TP-062 XT ES:C TR
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel