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Référence fabricant | MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (256M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C-FT |
MT52L256M64D2PD-107 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PP-093 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2QA-125 XT ES:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B
Micron Technology Inc.
MT52L4DAGN-DC
Micron Technology Inc.
MT52L4DAGN-DC TR
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation