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Référence fabricant | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 16Gb (256M x 64) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.2V |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B-FT |
MT49H16M36BM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-18:B TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
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Intel
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Intel
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Intel