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Référence fabricant | MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR-FT |
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1Z0APWC1
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1Z0AQWC1
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel