maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B4DANJ-DC
Référence fabricant | MT53B4DANJ-DC |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT53B4DANJ-DC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B4DANJ-DC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | - |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B4DANJ-DC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B4DANJ-DC-FT |
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NL-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.