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Référence fabricant | MT53B256M32D1NP-062 AAT:C |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B256M32D1NP-062 AAT:C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 8Gb (256M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B256M32D1NP-062 AAT:C-FT |
MT41K256M16TW-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16V00HWC1
Micron Technology Inc.
MT41K256M4DA-107:J
Micron Technology Inc.
MT41K256M4DA-107:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M4DA-125:K
Micron Technology Inc.
MT41K512M4DA-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 V:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 V:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8V00HWC1
Micron Technology Inc.
MT43A4G40200NFA-S15:A
Micron Technology Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel