maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT41K512M8V00HWC1
Référence fabricant | MT41K512M8V00HWC1 |
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Numéro de pièce future | FT-MT41K512M8V00HWC1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT41K512M8V00HWC1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3L |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8V00HWC1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT41K512M8V00HWC1-FT |
MT29F64G08CBABAL84A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAL84A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWPR:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-M
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel