maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR
Référence fabricant | MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 8Gb (256M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR-FT |
MT41K128M16JT-125 AUT:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 AUT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16V89C3WC1
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-093:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AUT:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16V00HWC1
Micron Technology Inc.
MT41K256M4DA-107:J
Micron Technology Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel