maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT41K128M16JT-125 AUT:K
Référence fabricant | MT41K128M16JT-125 AUT:K |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT41K128M16JT-125 AUT:K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT41K128M16JT-125 AUT:K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3L |
Taille mémoire | 2Gb (128M x 16) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 13.75ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 96-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 96-FBGA (8x14) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K128M16JT-125 AUT:K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT41K128M16JT-125 AUT:K-FT |
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10Z:A
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel