maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B128M32D1DS-062 AUT:A
Référence fabricant | MT53B128M32D1DS-062 AUT:A |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B128M32D1DS-062 AUT:A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 4Gb (128M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 200-WFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B128M32D1DS-062 AUT:A-FT |
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A4G4NRE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G4HX-083E:A
Micron Technology Inc.
MT40A512M8HX-083E:A
Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation