maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT40A2G4WE-083E:B TR
Référence fabricant | MT40A2G4WE-083E:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT40A2G4WE-083E:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT40A2G4WE-083E:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 8Gb (2G x 4) |
Fréquence d'horloge | 1.2GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.26V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-FBGA (8x12) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A2G4WE-083E:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT40A2G4WE-083E:B TR-FT |
N25Q016A11E5140F TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG0C TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG0M TR
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Micron Technology Inc.
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M25PX80-VMP6TGAD TR
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Micron Technology Inc.
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A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Intel
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel