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Référence fabricant | MT52L256M64D2QB-125 XT:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT52L256M64D2QB-125 XT:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT52L256M64D2QB-125 XT:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 16Gb (256M x 64) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.2V |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M64D2QB-125 XT:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT52L256M64D2QB-125 XT:B-FT |
MT40A512M16JY-083E AUT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-062E:E
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-062E:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-075:E
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-075:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16Z01AWC1
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-075E AAT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AAT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation