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Référence fabricant | MT52L256M64D2PP-107 WT:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT52L256M64D2PP-107 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT52L256M64D2PP-107 WT:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 16Gb (256M x 64) |
Fréquence d'horloge | 933MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.2V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M64D2PP-107 WT:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT52L256M64D2PP-107 WT:B TR-FT |
MT40A512M16JY-083E AAT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AIT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AUT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-062E:E
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-062E:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-075:E
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-075:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16Z01AWC1
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-075E AAT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel