maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT49H8M36SJ-25:B TR
Référence fabricant | MT49H8M36SJ-25:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT49H8M36SJ-25:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT49H8M36SJ-25:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | DRAM |
Taille mémoire | 288Mb (8M x 36) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 144-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 144-FBGA (18.5x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H8M36SJ-25:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT49H8M36SJ-25:B TR-FT |
MT47H128M4B6-25E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M4B6-3:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M4CB-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H128M4CB-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M4CB-3:B
Micron Technology Inc.
MT47H128M4CB-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M4CB-5E:B
Micron Technology Inc.
MT47H128M4CB-5E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8HQ-187E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8HQ-3:E TR
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