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Référence fabricant | MT47H128M4CB-37E:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H128M4CB-37E:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H128M4CB-37E:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 512Mb (128M x 4) |
Fréquence d'horloge | 267MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 500ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-FBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M4CB-37E:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H128M4CB-37E:B TR-FT |
MT46V128M4FN-75:D
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75Z:D
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75Z:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-5B:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-6:F
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-6:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-5B:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-6 L:F
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel