maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT48V4M32LFB5-8 XT:G
Référence fabricant | MT48V4M32LFB5-8 XT:G |
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Numéro de pièce future | FT-MT48V4M32LFB5-8 XT:G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT48V4M32LFB5-8 XT:G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
Taille mémoire | 128Mb (4M x 32) |
Fréquence d'horloge | 125MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 7ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.3V ~ 2.7V |
Température de fonctionnement | -20°C ~ 75°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 90-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 90-VFBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT48V4M32LFB5-8 XT:G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT48V4M32LFB5-8 XT:G-FT |
MT48H16M32L2B5-10 IT TR
Micron Technology Inc.
MT48H16M32L2B5-10 TR
Micron Technology Inc.
MT48H16M32L2B5-8
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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XC3S50A-5FTG256C
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XC3S1500-4FG676C
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XC2VP70-6FF1517I
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EPF10K200SFC672-3
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EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
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Intel