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Référence fabricant | MT48H16M32L2F5-10 IT |
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Numéro de pièce future | FT-MT48H16M32L2F5-10 IT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT48H16M32L2F5-10 IT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
Taille mémoire | 512Mb (16M x 32) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 7.5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 90-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 90-VFBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT48H16M32L2F5-10 IT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT48H16M32L2F5-10 IT-FT |
MT47H64M8SH-25E AIT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47R128M8CF-25:H
Micron Technology Inc.
MT47R128M8CF-3:H
Micron Technology Inc.
MT47R256M4CF-25E:H
Micron Technology Inc.
MT47R256M4CF-3:H
Micron Technology Inc.
MT46V16M16CY-5B IT:M
Micron Technology Inc.
MT46V16M16CY-5B IT:M TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16CY-5B:M TR
Micron Technology Inc.