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Référence fabricant | MT46V16M16CY-5B IT:M TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT46V16M16CY-5B IT:M TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT46V16M16CY-5B IT:M TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 700ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 2.7V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x12.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V16M16CY-5B IT:M TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT46V16M16CY-5B IT:M TR-FT |
MT47H128M16RT-25E XIT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-3:C
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-187E:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E AAT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E AIT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E L:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-3:F
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel