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Référence fabricant | MT47H32M16CC-5E L:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H32M16CC-5E L:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H32M16CC-5E L:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 600ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 84-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 84-FBGA (12x12.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H32M16CC-5E L:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H32M16CC-5E L:B-FT |
MT29F64G08TAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08AAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08BAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08FACWP:C TR
Micron Technology Inc.
NAND01GW3B2CN6E
Micron Technology Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel