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Référence fabricant | MT47H256M4BT-37E:A |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H256M4BT-37E:A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H256M4BT-37E:A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (256M x 4) |
Fréquence d'horloge | 267MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 400ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 92-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 92-FBGA (11x19) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M4BT-37E:A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H256M4BT-37E:A-FT |
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWP-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAWP-M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel