maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR
Référence fabricant | MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR-FT |
MT49H32M18CSJ-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CSJ-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18SJ-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18SJ-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-25 TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-33 TR
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MT49H64M9SJ-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9SJ-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H8M36BM-33 TR
Micron Technology Inc.
MT49H8M36FM-25 IT:B
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
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AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
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