maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT49H32M18CSJ-25E:B TR
Référence fabricant | MT49H32M18CSJ-25E:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT49H32M18CSJ-25E:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT49H32M18CSJ-25E:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | DRAM |
Taille mémoire | 576Mb (32M x 18) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 15ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 144-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 144-FBGA (18.5x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18CSJ-25E:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT49H32M18CSJ-25E:B TR-FT |
MT47H64M8CB-37E IT:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37V:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37V:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-3:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-5E IT:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-5E IT:B TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
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Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel