maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT47H256M4B7-37E:A TR
Référence fabricant | MT47H256M4B7-37E:A TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H256M4B7-37E:A TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H256M4B7-37E:A TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (256M x 4) |
Fréquence d'horloge | 267MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 400ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 92-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 92-FBGA (11x19) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M4B7-37E:A TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H256M4B7-37E:A TR-FT |
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWP-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
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