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Référence fabricant | MT45W8MW16BGX-708 WT TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT45W8MW16BGX-708 WT TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT45W8MW16BGX-708 WT TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | PSRAM |
La technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Taille mémoire | 128Mb (8M x 16) |
Fréquence d'horloge | 80MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-VFBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W8MW16BGX-708 WT TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT45W8MW16BGX-708 WT TR-FT |
NAND512R3A2SN6E
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SN6F
Micron Technology Inc.
TE28F160C3BD70A
Micron Technology Inc.
TE28F160C3BD90A
Micron Technology Inc.
TE28F160C3TD70A
Micron Technology Inc.
TE28F320C3TD70A
Micron Technology Inc.
MT47H128M4BT-37E:A TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8B7-37E L:A
Micron Technology Inc.
MT47H128M8B7-37E L:A TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8B7-37E:A
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel