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Référence fabricant | NAND512R3A2SN6F |
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Numéro de pièce future | FT-NAND512R3A2SN6F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NAND512R3A2SN6F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 50ns |
Temps d'accès | 50ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512R3A2SN6F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NAND512R3A2SN6F-FT |
MT48LC4M32B2TG-6:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC4M32B2TG-7 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC4M32B2TG-7:G
Micron Technology Inc.
MT48LC4M32B2TG-7:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32B2P-6 TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32B2P-7 IT TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32B2P-7 TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32B2TG-6 TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32B2TG-7 TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel