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Référence fabricant | MT45W8MW16BGX-701 IT TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT45W8MW16BGX-701 IT TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT45W8MW16BGX-701 IT TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | PSRAM |
La technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Taille mémoire | 128Mb (8M x 16) |
Fréquence d'horloge | 104MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-VFBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W8MW16BGX-701 IT TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT45W8MW16BGX-701 IT TR-FT |
NAND128W3AABN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3AABN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SN6E
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SN6F
Micron Technology Inc.
TE28F160C3BD70A
Micron Technology Inc.
TE28F160C3BD90A
Micron Technology Inc.
TE28F160C3TD70A
Micron Technology Inc.
TE28F320C3TD70A
Micron Technology Inc.
MT47H128M4BT-37E:A TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8B7-37E L:A
Micron Technology Inc.