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Référence fabricant | MT45W4MW16BFB-856 WT F |
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Numéro de pièce future | FT-MT45W4MW16BFB-856 WT F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT45W4MW16BFB-856 WT F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | PSRAM |
La technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Taille mémoire | 64Mb (4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 85ns |
Temps d'accès | 85ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-VFBGA (6x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W4MW16BFB-856 WT F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT45W4MW16BFB-856 WT F-FT |
MT29F8G08ABACAWP:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ABACAWP-IT:C
Micron Technology Inc.
NAND128W3AABN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3AABN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SN6E
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SN6F
Micron Technology Inc.
TE28F160C3BD70A
Micron Technology Inc.
TE28F160C3BD90A
Micron Technology Inc.
TE28F160C3TD70A
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel