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Référence fabricant | MT45W4MW16BFB-708 WT F TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT45W4MW16BFB-708 WT F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT45W4MW16BFB-708 WT F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | PSRAM |
La technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Taille mémoire | 64Mb (4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-VFBGA (6x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W4MW16BFB-708 WT F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT45W4MW16BFB-708 WT F TR-FT |
MT29F64G08CBEFBWP-M:F
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWP:F
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWPR:F
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ABACAWP-IT:C
Micron Technology Inc.
NAND128W3AABN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3AABN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SN6E
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SN6F
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel