maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT45W1MW16BDGB-708 AT
Référence fabricant | MT45W1MW16BDGB-708 AT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT45W1MW16BDGB-708 AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT45W1MW16BDGB-708 AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | PSRAM |
La technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Taille mémoire | 16Mb (1M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-VFBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W1MW16BDGB-708 AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT45W1MW16BDGB-708 AT-FT |
GD25Q32CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
W25Q16DVUUIG TR
Winbond Electronics
W25Q16DWUUIG
Winbond Electronics
W631GG8MB-12
Winbond Electronics
W632GG8MB-12
Winbond Electronics
W631GG8MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG8AB-11
Winbond Electronics
W632GG8AB-12
Winbond Electronics
W632GG8AB-15
Winbond Electronics
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel