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Référence fabricant | W632GG8AB-12 |
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Numéro de pièce future | FT-W632GG8AB-12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W632GG8AB-12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 2Gb (128M x 16) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.425V ~ 1.575V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-WBGA (10.5x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8AB-12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W632GG8AB-12-FT |
W9464G6KH-5 TR
Winbond Electronics
W9464G6KH-5I
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W9464G6KH-5I TR
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W9812G6KH-6
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MD56V62160M-7TAZ0AX
Rohm Semiconductor
W9825G6KH-6
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W9864G6KH-6
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W9812G6IH-6
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W9812G6JH-5
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W9812G6JH-6I
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XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
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LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation