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Référence fabricant | MT45W1MW16BDGB-708 AT TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT45W1MW16BDGB-708 AT TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT45W1MW16BDGB-708 AT TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | PSRAM |
La technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Taille mémoire | 16Mb (1M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-VFBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W1MW16BDGB-708 AT TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT45W1MW16BDGB-708 AT TR-FT |
GD25Q80CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
W25Q16DVUUIG TR
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W25Q16DWUUIG
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W631GG8MB-12
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APA750-FG896A
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AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
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Microchip Technology
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Intel
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Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
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EP4SGX110FF35C2XN
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