maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT41K256M4JP-125:G
Référence fabricant | MT41K256M4JP-125:G |
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Numéro de pièce future | FT-MT41K256M4JP-125:G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT41K256M4JP-125:G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 1Gb (256M x 4) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 13.75ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-FBGA (8x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K256M4JP-125:G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT41K256M4JP-125:G-FT |
MT41J256M16HA-093G:E TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-107:E
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-107:E TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-125:E
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-125:E TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16LY-091G:N TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M4JP-125:G
Micron Technology Inc.
MT41J256M4JP-15E:G
Micron Technology Inc.
MT41J256M8HX-125:D
Micron Technology Inc.
MT41J256M8HX-15E AAT:D
Micron Technology Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel