maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT41J256M8HX-125:D
Référence fabricant | MT41J256M8HX-125:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT41J256M8HX-125:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT41J256M8HX-125:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 13.75ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.425V ~ 1.575V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-FBGA (9x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41J256M8HX-125:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT41J256M8HX-125:D-FT |
MT35XU02GCBA2G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XU02GCBA3G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XU256ABA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XU256ABA1G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XU256ABA2G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XU256ABA2G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XU512ABA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XU512ABA1G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XU512ABA1G12-0AUT
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel