maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT40A512M8RH-083E IT:B TR
Référence fabricant | MT40A512M8RH-083E IT:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT40A512M8RH-083E IT:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT40A512M8RH-083E IT:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | 1.2GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.26V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-FBGA (9x10.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M8RH-083E IT:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT40A512M8RH-083E IT:B TR-FT |
M29W400DB45ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W400DB55ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W400DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W400DT55ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W400DT55ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W640FB70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640FT70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640FT70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GB70ZA6E
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel