maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29W400DB45ZE6E
Référence fabricant | M29W400DB45ZE6E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-M29W400DB45ZE6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29W400DB45ZE6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 45ns |
Temps d'accès | 45ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TFBGA (6x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W400DB45ZE6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29W400DB45ZE6E-FT |
M58LW032D110N6
STMicroelectronics
M58LW064D110N6
STMicroelectronics
MT28F128J3RG-12 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RG-12 MET
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RG-12 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RP-12 ET
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RP-12 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RP-12 MET
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RP-12 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RG-11 ET TR
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel