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Référence fabricant | MT40A256M16GE-083E IT:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT40A256M16GE-083E IT:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT40A256M16GE-083E IT:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 4Gb (256M x 16) |
Fréquence d'horloge | 1.2GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.26V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 96-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 96-FBGA (14x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A256M16GE-083E IT:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT40A256M16GE-083E IT:B TR-FT |
TE28F256P33TFA
Micron Technology Inc.
TE28F320J3D75A
Micron Technology Inc.
TE28F640J3D75A
Micron Technology Inc.
TE28F640J3D75B TR
Micron Technology Inc.
TE28F640P30B85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P30T85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P33B85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P33T85A
Micron Technology Inc.
TE48F4400P0TB00A
Micron Technology Inc.
TE48F4400P0VB00A
Micron Technology Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel