maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / TE28F640J3D75B TR
Référence fabricant | TE28F640J3D75B TR |
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Numéro de pièce future | FT-TE28F640J3D75B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | StrataFlash™ |
TE28F640J3D75B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 75ns |
Temps d'accès | 75ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 56-TSOP (14x20) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TE28F640J3D75B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TE28F640J3D75B TR-FT |
JS28F640J3D75E
Micron Technology Inc.
JS28F640J3F75A
Micron Technology Inc.
JS28F640J3F75B TR
Micron Technology Inc.
JS28F640P30B85A
Micron Technology Inc.
JS28F640P30BF75A
Micron Technology Inc.
JS28F640P30T85A
Micron Technology Inc.
JS28F640P33B85A
Micron Technology Inc.
JS28F640P33T85A
Micron Technology Inc.
JS28F640P33TF70A
Micron Technology Inc.
JS48F4400P0TB00A
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel